自旋电子学1Mb随机存储器研制成功

日期:2018-04-26 15:55:28编辑作者:申博亚洲
近日,由北京市科委支持的重点科技计划项目“自旋电子学1Mb随机存储器”顺利通过验收,该项目由北京航空航天大学牵头,北京智旋科技有限公司、北京控制工程研究院共同承担。
 
 
课题组围绕存储容量为1Mb的自旋电子学随机存取存储器(STT-MRAM)的研制,设计并制备了高性能的磁性隧道结存储器件,搭建了完整的器件仿真、制备及测试整体平台,开发了可与传统CMOS 工艺兼容的磁隧道结制备技术,完成了1Mb存储器集成电路的设计、仿真和CMOS电路部分流片工作,采用商用的STT-MRAM芯片研制出星载计算机样机,并完成了宇航级应用测试。
 
该项目部分成果已发表于国际顶级期刊Nature Communications;围绕国产STT-MRAM存储器研制,产生多项高质量发明专利,其中部分技术已实现成果转化。
 

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